前言
近年来，随着新能源汽车技术的不断升级以及用户对车内智能体验要求的不断提高，各大车企在配置上不断探索新的突破口。而无线充电作为一种便捷、高效的充电方式，深得很多消费者的喜爱，很多消费者在选购新能源汽车时，是否支持无线充电也是考虑是否购置的因素之一。
目前，许多新能源汽车的高配版本均已搭载50W无线充电系统，这一功能已成为各大车企提升车内体验的重要卖点。要实现如此高效的充电效果，必然需要采用先进的无线充电发射芯片。伏达半导体近期推出的车规级无线功率发射芯片SN90050Q，不仅支持50W无线输出功率，而且完全符合AEC-Q100 1级标准。
伏达 SN90050Q
SN90050Q 是伏达半导体推出的一款车规级无线功率发射芯片，支持 3V 至 27V 的宽输入电压范围，瞬态耐压可达 35V，最高输出功率可达 50W。该芯片采用全桥架构，集成了四路 12mΩ 低导通电阻的全桥功率 MOSFET，搭配经过优化的低EMI栅极驱动电路，可有效提升系统效率。
该芯片内置高精度输入电流检测电路（±1%精度，支持异物检测FOD），支持自适应死区时间控制、5V LDO稳压电源及I2C接口，支持多通道充电地址配置。内置多种保护机制，包括输入欠压/过压保护、过流保护、短路保护及过温保护，并可通过开漏INT引脚实时反馈故障状态。其电流检测放大器支持增益可调，配合外置电流检测电阻，可精准监测输入功率损耗，满足Qi EPP协议对FOD的要求。
该芯片目前已通过ESD测试，并支持外部VCC供电模式，进一步降低内部LDO功耗。应用效率在15W输出时可达90%，满载50W输出时效率可仍维持在85%以上。该芯片采用QFN21封装，可应用于符合WPC Qi EPP 协议标准的无线充电发射器、汽车级15-50W无线充电系统、高端工业和电机驱动等领域。
充电头网总结
伏达半导体推出的SN90050Q芯片凭借其宽电压输入范围、高达50W的输出能力以及优异的功率转换效率，为无线充电系统提供了坚实的硬件支撑。其集成全桥架构、低导通电阻MOSFET、低EMI驱动以及高精度电流检测电路，不仅确保了系统在高负载下的稳定运行，还满足了严格的车规级标准和安全保护要求，充分体现了在设计与性能上的先进性与可靠性。
从专业角度来看，SN90050Q芯片是一款面向高端新能源汽车及工业应用的综合性解决方案，其集成的多重保护机制和灵活的系统配置大大降低了外部设计复杂性和系统成本，为无线充电领域带来了更高的安全性和稳定性。凭借其高效能、智能化的监控与管理功能，该芯片无疑将推动无线充电技术在汽车、工业及电机驱动等领域的广泛应用和进一步发展。
